Microchip ultrafast ໄປເຊຍກັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງສໍາເລັດຜົນໃນພື້ນທີ່ photoelectric

Coupletech ສະເຫນີ microchip Laser Crystal ສໍາລັບແຜ່ນ laser. ຜົນກະທົບຂອງເລນຄວາມຮ້ອນທີ່ຜະລິດຢູ່ໃນເລເຊີຂອງລັດແຂງ semiconductor-pumped ທໍາມະດາສົ່ງຜົນໃຫ້ຄຸນນະພາບຂອງເລເຊີຖືກຊຸດໂຊມແລະຈໍາກັດຜົນຜະລິດພະລັງງານ. ຄວາມຫນາຂອງຂະຫນາດກາງເລເຊີ microchip ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນຕ່ໍາກວ່າ 1mm. ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂອງເຄື່ອງສູບນ້ໍາແລະເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ, ການໄຫຼຂອງຄວາມຮ້ອນຂະຫນາດກາງແມ່ນປະມານຫນຶ່ງມິຕິລະດັບທີ່ຕັ້ງຂວາງກັບຫນ້າດິນຂອງ wafer, ຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງການບິດເບືອນຄວາມຮ້ອນທີ່ເກີດຈາກຜົນກະທົບຂອງເລນຄວາມຮ້ອນ. ໄມໂຄຊິບເລເຊີສາມາດອອກຄຸນນະພາບສູງ beam (TEM00 ໂຫມດ Gaussian) ແລະ monochromaticity (ຮູບແບບຕາມລວງຍາວດຽວ, ຄວາມກວ້າງຂອງເສັ້ນຫນ້ອຍກວ່າ 5kHz) laser, ເປັນສິ່ງສໍາຄັນຫຼາຍໃນຂົງເຂດການສື່ສານ, ການວັດແທກ, ການປິ່ນປົວທາງການແພດ, ການປຸງແຕ່ງອຸດສາຫະກໍາ, ການຄົ້ນຄວ້າວິທະຍາສາດແລະການທະຫານ. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ.

Coupletech ສະຫນອງທຸກປະເພດຂອງ laser ໄປເຊຍກັນລວມທັງ Nd:YVO4, Nd:YAG, Diffusion Bonded Composite Crystal, Nd:YLF, Yb:YAG, Cr:YAG, ແລະ micro-disc crystal ຂອງເຂົາເຈົ້າ. ຕົວຢ່າງ: ultra-thin Nd:YAG+Cr:YAG ໄປເຊຍກັນແມ່ນປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ສໍາລັບການ laser ultrafast ແຜ່ນ, ແລະມັນໄດ້ຖືກອອກແບບສໍາລັບປະລິມານຂະຫນາດນ້ອຍຫຼາຍສໍາລັບ fs laser ແລະ ps laser. ໃນປັດຈຸບັນຫຼາຍຊະນິດໃຫມ່ຂອງໄປເຊຍກັນ laser ແມ່ນປະກົດຂຶ້ນ, Yb doped laser ໄປເຊຍກັນມີສະມາຊິກໃຫມ່, ຄື, ການຄົ້ນຄວ້າສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າແນວຄວາມຄິດໃຫມ່ຂອງ †œstrong field-coupled Yb3+ ion quasi-four-level system†— ໂດຍໃຊ້ ການ coupling ພາກສະຫນາມທີ່ເຂັ້ມແຂງເພີ່ມລະດັບພະລັງງານຂອງ Yb3+ ion ແຍກ, ຫຼຸດຜ່ອນອັດຕາສ່ວນຂອງປະຊາກອນຮ້ອນພາຍໃຕ້ເລເຊີ, ແລະບັນລຸ Yb3+ ion quasi ສີ່ລະດັບການດໍາເນີນງານ laser. ເລືອກ Yb ທີ່ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງສຸດ (7.5Wm-1K-1) ແລະຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມດັດຊະນີ refractive ລົບພຽງແຕ່ (dn/dT =-6.3 Ì 10-6K-1) ໄປເຊຍກັນ silicate ບວກແລະລົບ: ປະເພດໃຫມ່ຂອງ ໄປເຊຍກັນ Sc2SiO5 (Yb:SSO) ໄປເຊຍກັນແມ່ນປູກໂດຍວິທີການ Czochralski. ຜົນຜະລິດເລເຊີໄປເຊຍກັນແລະຜົນຜະລິດເລເຊີ ultrafast ໄດ້ຖືກປະຕິບັດ, Yb:SSO microchips ທີ່ມີຄວາມຫນາ 150 μmໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອບັນລຸ 75W (M2<1.1) ແລະ 280W ຄຸນະພາບແສງສະຫວ່າງສູງ, ຜົນຜະລິດເລເຊີຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງພະລັງງານສູງ 298fs. ບໍ່ດົນມານີ້, ຜົນຜະລິດເລເຊີ ultrafast ແບບລັອກແບບ 73 fs ໄດ້ຖືກປະຕິບັດຢູ່ໃນແກ້ວນີ້.